1、開啟電壓VT

開啟電壓（又稱閾值電壓）：使得源極S和漏極D之間開始形成導電溝道所需的柵極電壓，標準的N溝道MOS管，VT約為3～6V，通過工藝上的改進，可以使MOS管的VT值降到2～3V。

2、直流輸入電阻RGS

即在柵源極之間加的電壓與柵極電流之比，這一特性有時以流過柵極的柵流表示，MOS管的RGS可以很容易地超過1010Ω。

3、漏源擊穿電壓BVDS

在VGS=0（增強型）的條件下，在增加漏源電壓過程中使ID開始劇增時的VDS稱為漏源擊穿電壓BVDS，ID劇增的原因有下列兩個方面：（1）漏極附近耗盡層的雪崩擊穿，（2）漏源極間的穿通擊穿，有些MOS管中，其溝道長度較短，不斷增加VDS會使漏區(qū)的耗盡層一直擴展到源區(qū)，使溝道長度為零，即產生漏源間的穿通，穿通后，源區(qū)中的多數(shù)載流子，將直接受耗盡層電場的吸引，到達漏區(qū)，產生大的ID。

4、柵源擊穿電壓BVGS

在增加柵源電壓過程中，使柵極電流IG由零開始劇增時的VGS，稱為柵源擊穿電壓BVGS。

5、低頻跨導gm

在VDS為某一固定數(shù)值的條件下，漏極電流的微變量和引起這個變化的柵源電壓微變量之比稱為跨導，gm反映了柵源電壓對漏極電流的控制能力，是表征MOS管放大能力的一個重要參數(shù)，一般在十分之幾至幾mA/V的范圍內。

6、導通電阻RON

導通電阻RON說明了VDS對ID的影響，是漏極特性某一點切線的斜率的倒數(shù)，在飽和區(qū)，ID幾乎不隨VDS改變，RON的數(shù)值很大，一般在幾十千歐到幾百千歐之間，由于在數(shù)字電路中，MOS管導通時經常工作在VDS=0的狀態(tài)下，所以這時的導通電阻RON可用原點的RON來近似，對一般的MOS管而言，RON的數(shù)值在幾百歐以內。

7、極間電容

三個電極之間都存在著極間電容：柵源電容CGS、柵漏電容CGD和漏源電容CDS，CGS和CGD約為1～3pF，CDS約在0.1～1pF之間。

8、低頻噪聲系數(shù)NF

噪聲是由管子內部載流子運動的不規(guī)則性所引起的，由于它的存在，就使一個放大器即便在沒有信號輸人時，在輸出端也出現(xiàn)不規(guī)則的電壓或電流變化，噪聲性能的大小通常用噪聲系數(shù)NF來表示，它的單位為分貝（dB），這個數(shù)值越小，代表管子所產生的噪聲越小，低頻噪聲系數(shù)是在低頻范圍內測出的噪聲系數(shù)，場效應管的噪聲系數(shù)約為幾個分貝，它比雙極性三極管的要小。