著錄信息
- 專利名稱：一種具有多粗化層的紅外發(fā)光二極管的粗化方法
- 專利類型：發(fā)明
- 申請?zhí)枺?/em>CN201410391491.7
- 公開(公告)號：CN104167478B
- 申請日：20140811
- 公開(公告)日：20170215
- 申請人：廈門乾照光電股份有限公司
- 發(fā)明人：林志偉,陳凱軒,張永,楊凱,蔡建九,白繼鋒,卓祥景,姜偉,劉碧霞
- 申請人地址：361000 福建省廈門市火炬（翔安）產業(yè)區(qū)翔岳路19號
- 申請人區(qū)域代碼：CN350213
- 專利權人：廈門乾照光電股份有限公司
- 洛迦諾分類：無
- IPC：H01L33/22,H01L33/58,H01L33/60,H01L33/00
- 優(yōu)先權：無
- 專利代理機構：廈門市新華專利商標代理有限公司 35203
- 代理人：廖吉保;唐紹烈
- 審查員：王勇
- 國際申請：無
- 國際公開(公告)：無
- 進入國家日期：無
- 分案申請：無
關鍵詞
粗化層,粗化,蝕刻,最外層,紅外發(fā)光二極管,表面形成,發(fā)光結構,粗化液,側面,基板,二極管表面,外量子效率,第二電極,第一電極,干法蝕刻,重復操作
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