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光刻膠的制造流程 光刻膠制備方法

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摘要:光刻膠和半導體、芯片之間有密切的關聯(lián),在半導體制造中,光刻膠被用于制作芯片的圖形化圖案。光刻膠的主要成分是光敏劑和聚合物基質。光刻膠的制作過程包括混合、涂布、預烘、曝光、顯影、后烘等步驟。下面來詳細介紹下光刻膠的制造流程,光刻膠制備方法。

一、光刻膠的制造流程

1、準備基質

在涂布光阻劑之前,硅片一般要進行處理,需要經過脫水烘培蒸發(fā)掉硅片表面的水分,并涂上用來增加光刻膠與硅片表面附著能力的化合物。

2、涂布光阻劑

將硅片放在一個平整的金屬托盤上,托盤內有小孔與真空管相連,硅片就被吸在托盤上,這樣硅片就可以與托盤一起旋轉。涂膠工藝一般分為三個步驟:1)將光刻膠溶液噴灑倒硅片表面;2)加速旋轉托盤(硅片),直到達到所需的旋轉速度;3)達到所需的旋轉速度之后,保持一定時間的旋轉。由于硅片表面的光刻膠是借旋轉時的離心力作用向著硅片外圍移動,故涂膠也可稱做甩膠。經過甩膠之后,留在硅片表面的光刻膠不足原有的1%。

3、軟烘干

也稱前烘。在液態(tài)的光刻膠中,溶劑成分占65%-85%,甩膠之后雖然液態(tài)的光刻膠已經成為固態(tài)的薄膜,但仍有10%-30%的溶劑,容易玷污灰塵。通過在較高溫度下進行烘培,可以使溶劑從光刻膠中揮發(fā)出來(前烘后溶劑含量降至5%左右),從而降低了灰塵的玷污。同時還可以減輕因高速旋轉形成的薄膜應力,從而提高光刻膠的附著性。在前烘過程中,由于溶劑揮發(fā),光刻膠厚度也會減薄,一般減薄的幅度為10%-20%左右。

4、曝光

曝光過程中,光刻膠中的感光劑發(fā)生光化學反應,從而使正膠的感光區(qū)、負膠的非感光區(qū)能夠溶解于顯影液中。正性光刻膠中的感光劑DQ發(fā)生光化學反應,變?yōu)橐蚁┩?,進一步水解為茚并羧酸,羧酸對堿性溶劑的溶解度比未感光的感光劑高出約100倍,同時還會促進酚醛樹脂的溶解。于是利用感光與未感光的光刻膠對堿性溶劑的不同溶解度,就可以進行掩膜圖形的轉移。

5、顯影

經顯影,正膠的感光區(qū)、負膠的非感光區(qū)溶解于顯影液中,曝光后在光刻膠層中的潛在圖形,顯影后便顯現(xiàn)出來,在光刻膠上形成三位圖形。為了提高分辨率,幾乎每一種光刻膠都有專門的顯影液,以保證高質量的顯影效果。

6、硬烘干

也稱堅膜。顯影后,硅片還要經過一個高溫處理過程,主要作用是除去光刻膠中剩余的溶劑,增強光刻膠對硅片表面的附著力,同時提高光刻膠在刻蝕和離子注入過程中的抗蝕性和保護能力。在此溫度下,光刻膠將軟化,形成類似玻璃體在高溫下的熔融狀態(tài)。這會使光刻膠表面在表面張力作用下圓滑化,并使光刻膠層中的缺陷(如針孔)因此減少,借此修正光刻膠圖形的邊緣輪廓。

7、刻(腐)蝕或離子注入

8、去膠

刻蝕或離子注入之后,已經不再需要光刻膠作保護層,可以將其除去,稱為去膠,分為濕法去膠和干法去膠,其中濕法去膠又分有機溶劑去膠和無機溶劑去膠。有機溶劑去膠,主要是使光刻膠溶于有機溶劑而除去;無機溶劑去膠則是利用光刻膠本身也是有機物的特點,通過一些無機溶劑,將光刻膠中的碳元素氧化為二氧化碳而將其除去。干法去膠,則是用等離子體將光刻膠剝除。

二、光刻膠制備方法

光刻膠制作是一項制作印刷出版品,電子元件和芯片基板等精密細節(jié)的任務,它可以使產品品質更好、速度更快以及圖案更清晰且可重復性高。下面將圍繞光刻膠來介紹一下其制作的步驟。

1、首先,需要準備一些基本材料,包括光刻油墨、總溶劑、無水乙醇、光刻膠片以及洗版片等。具體材料需要根據(jù)不同情況選擇,常見的光刻膠片有PE片、PVC片和PC基片等。

2、接著,熔化光刻油墨。將所需的光刻油墨投入熔鍋,加入總溶劑和無水乙醇,熔化攪拌至光刻油墨充分溶解,并維持高溫狀態(tài)10-20分鐘,熔化溫度一般達到200℃左右。

3、然后,就是制作光刻膠。將混合物倒入特定的烘箱,使其能夠容納光刻片,加上少量脫模劑,將光刻膠片在烘箱內暴露在200°高溫的空氣中,保持1小時左右,至膠片變軟且完全吸收光刻油墨,再放入冷卻抽風箱中冷卻1-2個小時。

4、最后,就是洗版。首先將冷卻的光刻膠片和實物模板放置在洗版槽中,用洗滌劑洗滌洗版片,保證洗版片覆蓋牢固,然后用抽空裝置抽空空氣中的殘留毛刺,最后,將光刻膠片及模板取出。

總之,制作光刻膠有收集材料、熔化光刻油墨、制作光刻膠、以及洗版等四個步驟。它涉及有材料以及技術等方面,制作完成之后,可以在制作印刷出版品、電子元件和芯片基板等精密細節(jié)的任務中大顯身手。

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