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晶體硅太陽(yáng)能電池制造技術(shù) 晶體硅太陽(yáng)能電池的制造工藝流程

摘要:晶體硅太陽(yáng)能電池作為當(dāng)前太陽(yáng)能光伏領(lǐng)域的主流技術(shù)之一,其制造工藝流程的精細(xì)控制、材料的精選與優(yōu)化以及結(jié)構(gòu)的巧妙設(shè)計(jì),共同決定了電池的性能與效率。從原材料的選擇與預(yù)處理,到晶體硅的生長(zhǎng)與切割,再到PN結(jié)的形成、絨面結(jié)構(gòu)與減反射層的制備,直至最終電極的制作與封裝,每一個(gè)制造環(huán)節(jié)都至關(guān)重要。下面為大家簡(jiǎn)單介紹一下晶體硅太陽(yáng)能電池的制造工藝流程。

晶體硅太陽(yáng)能電池的制造工藝流程

1、切片:采用多線切割,將硅棒切割成正方形的硅片。

2、清洗:用常規(guī)的硅片清洗方法清洗,然后用酸(或堿)溶液將硅片表面切割損傷層除去30-50um。

3、 制備絨面:用堿溶液對(duì)硅片進(jìn)行各向異性腐蝕在硅片表面制備絨面。

4、磷擴(kuò)散:采用涂布源(或液態(tài)源,或固態(tài)氮化磷片狀源)進(jìn)行擴(kuò)散,制成PN+結(jié),結(jié)深一般為0.3-0.5um。

5、周邊刻蝕:擴(kuò)散時(shí)在硅片周邊表面形成的擴(kuò)散層,會(huì)使電池上下電極短路,用掩蔽濕法腐蝕或等離子干法腐蝕去除周邊擴(kuò)散層。

6、去除背面PN+結(jié)。常用濕法腐蝕或磨片法除去背面PN+結(jié)。

7、 制作上下電極:用真空蒸鍍、化學(xué)鍍鎳或鋁漿印刷燒結(jié)等工藝。先制作下電極,然后制作上電極。鋁漿印刷是大量采用的工藝方法。

8、制作減反射膜:為了減少入反射損失,要在硅片表面上覆蓋一層減反射膜。制作減反射膜的材料有MgF2 ,SiO2 ,Al2O3 ,SiO ,Si3N4 ,TiO2 ,Ta2O5等。工藝方法可用真空鍍膜法、離子鍍膜法,濺射法、印刷法、PECVD法或噴涂法等。

9、燒結(jié):將電池芯片燒結(jié)于鎳或銅的底板上。

10、測(cè)試分檔:按規(guī)定參數(shù)規(guī)范,測(cè)試分類。

由此可見,太陽(yáng)能電池芯片的制造采用的工藝方法與半導(dǎo)體器件基本相同,生產(chǎn)的工藝設(shè)備也基本相同,但工藝加工精度遠(yuǎn)低于集成電路芯片的制造要求,這為太陽(yáng)能電池的規(guī)模生產(chǎn)提供了有利條件。

晶體硅太陽(yáng)能電池制作需要什么材料

1、晶體硅材料

單晶硅:?jiǎn)尉Ч枋翘?yáng)能電池的主要材料之一,具有更高的光電轉(zhuǎn)換效率和更強(qiáng)的導(dǎo)電能力。單晶硅太陽(yáng)電池所用的材料通常用微電子工業(yè)的廢次單晶重新拉制而成。單晶硅太陽(yáng)電池轉(zhuǎn)換效率最高,技術(shù)也最為成熟。在實(shí)驗(yàn)室里最高的轉(zhuǎn)換效率為24.7%(理論最高光電轉(zhuǎn)化效率為25%),規(guī)模生產(chǎn)時(shí)的效率為18%左右。單晶硅太陽(yáng)電池在大規(guī)模應(yīng)用和工業(yè)生產(chǎn)中仍占據(jù)主導(dǎo)地位,但由于其材料成本較高,生產(chǎn)工藝相對(duì)復(fù)雜,因此成本價(jià)格也較高。

多晶硅:多晶硅則是由很多個(gè)小單晶(晶粒)組成,各個(gè)晶粒的方向(晶向)不同。與單晶硅相比,多晶硅的制備工藝相對(duì)簡(jiǎn)單,成本較低,但光電轉(zhuǎn)換效率可能稍低。多晶硅太陽(yáng)電池所用的材料是用澆鑄等方法制得的,其優(yōu)點(diǎn)是能直接制備出適合于規(guī)?;a(chǎn)的大尺寸方形硅錠。目前,考慮到材料成本等方面的因素,多晶硅太陽(yáng)電池代替單晶硅太陽(yáng)電池漸變?yōu)楣夥姵氐闹鹘恰?/p>

2、摻雜元素

三價(jià)元素(如硼):用于形成P型硅晶片。通過在硅中摻入三價(jià)元素,硅晶片中的部分硅原子被替代,形成帶正電的空穴。

五價(jià)元素(如磷):用于形成N型半導(dǎo)體層。通過在硅中摻入五價(jià)元素,硅晶片中的部分硅原子被替代,形成帶負(fù)電的電子。

3、電極材料

上電極:通常采用鋁-銀材料制成,呈“梳齒”形狀,能夠增加與硅晶片的接觸面積,更有效地收集電子。上電極位于N型硅晶片表面的絨面結(jié)構(gòu)和減反射層之上。

下電極:通常采用鎳-錫材料制成,呈板狀布滿P型硅晶片的下表面。下電極有助于減少電池內(nèi)部的串聯(lián)電阻。

4、減反射層材料

為了減少入射太陽(yáng)光的反射損失,提高電池對(duì)太陽(yáng)光能的吸收效率,通常在絨面結(jié)構(gòu)上沉積一層減反射層。這層薄膜一般可均勻沉積60~100納米左右的SiO?或Si?N?等材料。

晶體硅太陽(yáng)能電池的結(jié)構(gòu)

晶體硅太陽(yáng)能電池主要由硅基片、PN結(jié)、電極和減反射膜等部分組成。

1、硅基片

是電池的主體,通常采用高純度的單晶硅或多晶硅制成。硅基片的純度對(duì)電池的性能有重要影響。

2、PN結(jié)

是電池的核心部分,由P型硅和N型硅組成。當(dāng)太陽(yáng)光照射到PN結(jié)上時(shí),會(huì)產(chǎn)生光生電效應(yīng),即光能轉(zhuǎn)化為電能。

3、電極

包括正極和負(fù)極,用于收集并導(dǎo)出由PN結(jié)產(chǎn)生的電流。電極的設(shè)計(jì)對(duì)提高電池的轉(zhuǎn)換效率至關(guān)重要。

4、減反射膜

覆蓋在硅基片表面的一層薄膜,可以減少太陽(yáng)光在硅基片上的反射,從而增加光的吸收率。


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