1、原材料

由于國內(nèi)化工行業(yè)發(fā)展較西方起步較晚，缺乏先進(jìn)材料的研發(fā)投資和人才儲備，日美等國外企業(yè)卡住了大硅片、光刻膠、刻蝕劑、特純氣體等材料。而材料的底層是化學(xué)，在短時間內(nèi)很難做到技術(shù)突破，這個過程需要時間沉淀和積累。只有不斷嘗試和犯錯，不斷研發(fā)，才能取得成果。

2、設(shè)備

眾所周知，芯片半導(dǎo)體的生產(chǎn)離不開高端的設(shè)備，每個過程都需要專門的設(shè)備才能進(jìn)行，刻蝕、CMP、CVD、PVD、光刻機(jī)、量測設(shè)備等一系列都是芯片制造不可獲取的，而且隨著芯片工藝的升級，設(shè)備也需要進(jìn)行更新?lián)Q代，而核心設(shè)備的研發(fā)一般來說需要5-10年的時間。目前，我國支持生產(chǎn)14納米以下芯片的先進(jìn)制程的設(shè)備和國外還有較大差距。

3、EDA

這是芯片設(shè)計(jì)不可或缺的軟件。如果沒有EDA軟件工具以及IP授權(quán)，即便是再天才的工程師也無法設(shè)計(jì)出好的芯片。EDA需要懂計(jì)算機(jī)、算法、工藝、器件、電路設(shè)計(jì)的跨學(xué)科人才。這塊全球只有三家巨頭，其中兩家是美國公司，而國內(nèi)在EDA方面才剛起步，公司也很少。

4、制造工藝

如今，最先進(jìn)的工藝制程已經(jīng)到了3納米，臺積電和三星率先實(shí)現(xiàn)了量產(chǎn)。而在大陸目前最先進(jìn)的是中芯國際的14納米，和國外先進(jìn)的工藝制程差距在三代左右。所以老美敢于封鎖14納米以下的先進(jìn)制程技術(shù)和設(shè)備。

5、人才匱乏

由于我國在半導(dǎo)體行業(yè)起步較晚，相關(guān)的人才培養(yǎng)體系和大學(xué)專業(yè)課程還不太完善，我國缺少頂尖的架構(gòu)師和研發(fā)人員，而底層技術(shù)的突破就需要大量的物理學(xué)家、化學(xué)家和數(shù)學(xué)家等跨學(xué)術(shù)的人才去突破。

總結(jié)來看，國產(chǎn)芯片最大的技術(shù)難點(diǎn)在原材料、設(shè)備、EDA、制造工藝以及人才等五大方面，每個方面都需要時間去突破，因此任重而道遠(yuǎn)。