著錄信息
- 專利名稱：功率半導體模塊
- 專利類型：實用新型
- 申請?zhí)枺?/em>CN201520307158.3
- 公開(公告)號：CN204792786U
- 申請日：20150513
- 公開(公告)日：20151118
- 申請人：富士電機(中國)有限公司
- 發(fā)明人：陳嵩
- 申請人地址：200063 上海市普陀區(qū)中山北路3000號長城大廈27樓
- 申請人區(qū)域代碼：CN310107
- 專利權人：富士電機(中國)有限公司
- 洛迦諾分類：無
- IPC：H01L25/16,H01L23/04
- 優(yōu)先權：無
- 專利代理機構：上海專利商標事務所有限公司 31100
- 代理人：金紅蓮
- 審查員：無
- 國際申請：無
- 國際公開(公告)：無
- 進入國家日期：無
- 分案申請：無
關鍵詞
功率半導體裝置,殼體,發(fā)射極端子,外部,柵極端子,蓋板,功率半導體模塊,電容器,反向恢復損耗,反并聯連接,二極管,反向恢復,基板收納,殼體上方,發(fā)射極,基板上,內表面,相連接,總損耗,基板,減小,一種,構成,封閉,實用,開通,覆蓋,設置,涉及
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