著錄信息
- 專利名稱：高電壓瞬態(tài)電壓抑制器芯片
- 專利類型：實(shí)用新型
- 申請(qǐng)?zhí)枺?/em>CN201120551293.4
- 公開(公告)號(hào)：CN202423293U
- 申請(qǐng)日：20111226
- 公開(公告)日：20120905
- 申請(qǐng)人：天津中環(huán)半導(dǎo)體股份有限公司
- 發(fā)明人：薄勇,劉亞東,安毅力,張超,王睿,艾傳令,郝會(huì)振,孔祥和
- 申請(qǐng)人地址：300385 天津市濱海新區(qū)華苑產(chǎn)業(yè)區(qū)(環(huán)外)海泰東路12號(hào)
- 申請(qǐng)人區(qū)域代碼：CN120116
- 專利權(quán)人：天津中環(huán)半導(dǎo)體股份有限公司
- 洛迦諾分類：無
- IPC：H01L29/06,H01L29/861
- 優(yōu)先權(quán)：無
- 專利代理機(jī)構(gòu)：天津中環(huán)專利商標(biāo)代理有限公司 12105
- 代理人：莫琪
- 審查員：無
- 國(guó)際申請(qǐng)：無
- 國(guó)際公開(公告)：無
- 進(jìn)入國(guó)家日期：無
- 分案申請(qǐng)：無
關(guān)鍵詞
電壓抑制器,電壓瞬態(tài),芯片,擊穿電壓,主體結(jié),臺(tái)面溝槽,玻璃,輔助,金屬,電壓芯片,區(qū)域設(shè)計(jì),瞬態(tài)電壓,芯片結(jié)構(gòu),芯片臺(tái)面,芯片主體,漏電,擴(kuò)散結(jié),漏電流,浪涌,損壞
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