超頻內(nèi)存條怎么選

1、內(nèi)存顆粒芯片

內(nèi)存顆粒芯片是最重要的核心元件，占據(jù)整根內(nèi)存成本的70-80%，因此廠家節(jié)省成本最先從內(nèi)存顆粒芯片著手。而內(nèi)存芯片的好壞直接影響到內(nèi)存條的品質(zhì)和性能。

一線內(nèi)存品牌廠家建有內(nèi)存顆粒芯片的切割、封裝測試工廠，它們在品質(zhì)上有保證，同時有利于控制成本，但是它們的品質(zhì)要比內(nèi)存原廠芯片略遜。

一般常見的內(nèi)存顆粒廠商有三星、海力士、美光等，它們都是經(jīng)過完整嚴(yán)謹(jǐn)?shù)纳a(chǎn)工序，因此在品質(zhì)上都更有保障。而采用這些頂級大廠內(nèi)存顆粒的內(nèi)存條品質(zhì)性能，必然會比其它“自主切割、封裝測試的內(nèi)存顆粒”的產(chǎn)品要高。

2、做工用料

大廠正品內(nèi)存的電路線路清晰分明并且較為密集有序，同時走線所用的銅絲較粗并且外面覆蓋抗氧化涂層。而在接近金手指的地方整齊有序的焊接大量高級陶瓷電容和排阻。

內(nèi)存的PCB電路板下部為一排鍍金觸點，學(xué)名叫做“金手指”。千萬別小看這些金光閃閃的觸點，如果其中有一根脫落或者氧化，很可能會造成一些故障隱患。厚重的鍍金層不僅可以提供穩(wěn)定的數(shù)據(jù)傳輸通道，同時還能達到出色的抗氧化的效果，從而進一步提升內(nèi)存的穩(wěn)定性。

3、PCB板層數(shù)

通常而言，PCB電路板層數(shù)越多，其信號抗干擾能力越強，對內(nèi)存穩(wěn)定性越有幫助。內(nèi)存PCB板分為6層、8層PCB板。

普條(又稱裸條，沒有散熱片）基本采用6層PCB板，大部分入門級超頻內(nèi)存采用的是6層PCB板，絕大部分中端和高端的超頻內(nèi)存采用的是8層PCB板。

選購超頻內(nèi)存有什么誤區(qū)

誤區(qū)一：帶散熱片的產(chǎn)品更能超頻

配以散熱片的內(nèi)存，更多的是起到了美化產(chǎn)品形象的作用，有的甚至可能成為內(nèi)存的遮羞布，讓您看不到它所使用的芯片，要知道內(nèi)存芯片才是決定超頻下限的基礎(chǔ)。比如一些名廠的產(chǎn)品，雖然并沒有帶上這層散熱片，但這樣的低規(guī)格內(nèi)存就超過了很多帶有散熱片的高規(guī)格產(chǎn)品，就很能說明這個問題。所以在選購內(nèi)存時，有沒有散熱片不是考慮因素，帶散熱片的產(chǎn)品不見得更能超頻。

像金士頓、金邦、宇瞻、金泰克等品牌內(nèi)存，每顆芯片都是廠家精挑細選后的優(yōu)秀A級顆粒，發(fā)熱量小不說，同時在頻率方面也留有余地，即使它們不使用任何散熱手段，也能有良好的表現(xiàn)，散熱方面更不需要擔(dān)心。

誤區(qū)二：單面內(nèi)存和雙面內(nèi)存在超頻方面一樣

單面內(nèi)存比雙面內(nèi)存在超頻方面更有先天優(yōu)勢，這主要取決于芯片組的驅(qū)動負(fù)載能力。單面的內(nèi)存大多為8顆芯片，如目前主流的512MB產(chǎn)品，雙面的為16顆芯片，如目前主流的1GB產(chǎn)品。這就意味著后者需要更大的驅(qū)動能力，雖然工作時會通過片選信號選中一個P-Bank工作，但不工作的P-Bank仍會增加地址與控制信號線的負(fù)載。

所以，很明顯的就可看出，8顆芯片總是要比16顆芯片更容易驅(qū)動。此外，芯片的增多，也使PCB上的信號線數(shù)量將是前者的一倍，如果設(shè)計不良，產(chǎn)生相互干擾的機率也就大幅度增加，這也可能會影響超頻能力，不過這是相對次要的原因，就模組本身而言，超頻能力更多的取決于芯片。

誤區(qū)三：相同芯片的不同品牌意味著超頻能力相同

有人對這個誤區(qū)可能不理解，選用相同的顆粒，為什么超頻能力卻不同？其實對于不同品牌的兩款內(nèi)存條雖然采用了相同的芯片，但它們在超頻性能上是存有差異的，可主要取決于產(chǎn)品的PCB設(shè)計及選用顆粒的品質(zhì)?，F(xiàn)市面上超頻較好的顆粒多見現(xiàn)代、三星、英飛凌等，但這些顆粒即使是相同編號它們也是分等級的，這其中品質(zhì)優(yōu)秀的留給自己的原裝內(nèi)存，或者是關(guān)系較好的幾家內(nèi)存廠家。對于關(guān)系一般的廠家采購到的顆粒，就有可能是品質(zhì)稍遜一些了，所以，即使采用相同芯片，但品牌不同，那么超頻能力也不盡相同。

誤區(qū)四：CSP封裝的芯片意味著好超頻

相對來說，CSP封裝的內(nèi)存，在技術(shù)上較TSOP-II更為先進，但卻與最終內(nèi)存性能的關(guān)系不太大。采用CSP封裝芯片的內(nèi)存，在超頻方面和內(nèi)存優(yōu)化方面不一定就比傳統(tǒng)的TSOP-II芯片模組強。所以大家不要過分迷信CSP封裝，它本身雖然可以達到比TSOP-II更高的頻率，但對外圍電路的要求和電氣環(huán)境的變化也比較苛刻。采用TSOP-II封裝的內(nèi)存，超頻能力比CSP封裝更強的情況更為普遍，所以CSP封裝的芯片不意味著好超頻。

誤區(qū)五：規(guī)格高的內(nèi)存在優(yōu)化能力上比規(guī)格低的內(nèi)存強

從理論上講，DDR500要比DDR400規(guī)格高速度要快，而實際上卻并不絕對。因為有很多高規(guī)格的內(nèi)存都是靠犧牲時序優(yōu)化能力來換取。像DDR500的內(nèi)存條雖然標(biāo)稱頻率更高，但并不能表示它在DDR400下具有更好的優(yōu)化能力。原因很簡單，DDR500所使用的芯片有可能和普通DDR400的芯片是一樣的，在時序優(yōu)化能力方面并不占優(yōu)，而能達到DDR500更多的是通過放寬時序要求來達到的。所以，規(guī)格高的內(nèi)存在優(yōu)化能力上不見得比規(guī)格低的內(nèi)存強。因此，玩家在選購內(nèi)存時一定要注意這一點，這也體現(xiàn)了兩種不同的選購傾向，是想得到最佳的DDR500性能還是最高的工作頻率。

誤區(qū)六：產(chǎn)品參數(shù)設(shè)置最大就好超頻

這個問題可以通過事實說話，以DDR400內(nèi)存為例，當(dāng)用3-4-4超不上去時，就應(yīng)換用BySPD的方法進行超頻。有些默認(rèn)CL=2.5的產(chǎn)品，BySPD反而會比3-4-4好超，但有些則不是，默認(rèn)CL=3的產(chǎn)品，BySPD與3-4-4都差不多，可能會有1、2MHz的區(qū)別。估計這應(yīng)該是芯片所體現(xiàn)出來的差異。

CL是一個唯一在內(nèi)存初始化時寫入芯片內(nèi)模式寄存的參數(shù)(tRCD、tRP只需北橋控制即可)，所以它的值與芯片本身固有的可調(diào)整范圍就需要匹配，如果芯片本身的局限性較大，那么調(diào)高CL值反而會造成內(nèi)存子系統(tǒng)的不穩(wěn)定而導(dǎo)致不能開機。所以，3-4-4雖然是一個超頻時常用的設(shè)置，但如果遇到一點也不能超時，建議改用BySPD試一試，可能會有驚喜。所以，有些產(chǎn)品參數(shù)設(shè)置最大可不見得就好超頻。

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