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ITO濺射靶材的制作方法 ITO濺射靶材生產(chǎn)難點

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摘要:ITO靶材是一種貴金屬材料,是在高溫氣氛燒結(jié)形成的黑灰色陶瓷半導體。ITO靶材主要有四種成型方法,分別是真空熱壓法、熱等靜壓法、常壓燒結(jié)法、冷等靜壓法。下面就來了解下ITO濺射靶材的制作方法以及ITO濺射靶材生產(chǎn)難點。

一、ITO濺射靶材的制作方法

1、真空熱壓

真空熱壓利用熱能和機械能對ITO粉體進行致密化,可生產(chǎn)出密度為91%~96%的高密度ITO陶瓷靶材。該方法可以輕松獲得接近預期密度且孔隙率接近于零的ITO靶材。但受設(shè)備和模具尺寸的限制,真空熱壓在制備大尺寸濺射靶材方面優(yōu)勢較小。

2、熱等靜壓

熱等靜壓(HIP)通過在壓力下燒結(jié)或在高溫下加壓來制備ITO濺射靶。與真空熱壓類似,HIP在加熱和加壓狀態(tài)下可以獲得高密度(幾乎是理論密度)和優(yōu)異的物理和機械性能的產(chǎn)品。但也受設(shè)備壓力和氣缸尺寸的限制。

3、常溫燒結(jié)

室溫燒結(jié)是先通過漿料澆注或預壓制備高密度靶材預制件,然后在一定氣氛和溫度下燒結(jié)得到ITO靶材。其最大的優(yōu)勢在于能夠生產(chǎn)大尺寸的濺射靶材。但與其他燒結(jié)方法相比,這種方法制成的靶材純度較低。

4、冷等靜壓

冷等靜壓(CIP)在常溫下以橡膠或塑料為覆膜材料,以液體為壓力介質(zhì)傳遞超高壓。CIP還可以制備更大尺寸的ITO濺射靶材。而且價格便宜,適合大批量生產(chǎn)。但CIP要求材料在0.1~0.9MPa的純氧環(huán)境中經(jīng)過1500~1600°C的高溫燒結(jié),具有較高的風險。

二、ITO濺射靶材生產(chǎn)難點

1、粉末制備

粉末冶金最核心的競爭力就是粉體,能夠獨立生產(chǎn)高品質(zhì)穩(wěn)定的粉體的公司,會在未來占有一席之地。

2、大尺寸燒結(jié)工藝

ITO靶材的另一個難點就是燒結(jié)工藝,精準的燒結(jié)工藝是燒結(jié)高品質(zhì)靶材的關(guān)鍵。燒結(jié)工藝細分為真空熱壓法、熱等靜壓法、常壓燒結(jié)法。目前高端顯示器用鍍膜靶材主要采用常壓燒結(jié)法,性價比高。

3、成本投入較大

ITO生產(chǎn)中需要使用非常多的大型設(shè)備,如冷壓機,大型模壓機,燒結(jié)爐,加工設(shè)備及綁定設(shè)備,每一項的投入都非常大。整廠的設(shè)備投入預計在5000萬以上(年產(chǎn)50噸),且因為是能耗大戶,日常的能源消耗也是非??捎^的,運營維護成本也比較高。

4、產(chǎn)品的驗證

如何能夠自主的驗證產(chǎn)品是否符合客戶的使用需求,是產(chǎn)品能否一次通過客戶驗證并且順利導入生產(chǎn)的關(guān)鍵因素,所以企業(yè)自己配套綁定檢測設(shè)備及鍍膜機就是保證。

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