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著錄信息

  • 專利名稱:一種硅片的P擴散方法和太陽能電池的制備方法
  • 專利類型:發(fā)明
  • 申請?zhí)枺?/em>CN201410634662.4
  • 公開(公告)號:CN104409339B
  • 申請日:20141112
  • 公開(公告)日:20170315
  • 申請人:浙江晶科能源有限公司,晶科能源有限公司
  • 發(fā)明人:葉飛,蔣方丹,金浩,陳康平
  • 申請人地址:314416 浙江省嘉興市海寧市袁花鎮(zhèn)袁溪路58號
  • 申請人區(qū)域代碼:CN330481
  • 專利權人:浙江晶科能源有限公司,晶科能源有限公司
  • 洛迦諾分類:
  • IPC:H01L21/228,H01L31/18
  • 優(yōu)先權:
  • 專利代理機構:北京集佳知識產(chǎn)權代理有限公司 11227
  • 代理人:趙青朵
  • 審查員:霍淑利
  • 國際申請:
  • 國際公開(公告):
  • 進入國家日期:
  • 分案申請:

關鍵詞

沉積,硅片,擴散,吸雜,方阻均勻性,太陽能電池,推進過程,轉換效率,產(chǎn)線,結深,制絨,分部
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