一、固態(tài)硬盤的種類有哪些

（一）根據(jù)接口分

1、SATA 3.0接口

作為最常見的接口，采用SATA 3.0接口的固態(tài)硬盤擁有較高的性價(jià)比。和上代SATA 2.0接口相比，SATA 3.0接口的傳輸速度可達(dá)6GB/S。

2、MSATA接口

MSATA接口全稱為【Mini-SATA】接口，采用該接口的固態(tài)硬盤比SATA 3.0接口的固態(tài)硬盤在體積上要小很多。由于體積的優(yōu)勢(shì)，MSATA接口的固態(tài)硬盤常見用于輕薄筆記本，其傳輸速度和穩(wěn)定性和SATA 3.0接口的固態(tài)硬盤沒有區(qū)別。

3、M.2接口

M.2接口的固態(tài)硬盤擁有體積小，性能強(qiáng)的優(yōu)點(diǎn)。目前，主流的主板和M.2接口固態(tài)硬盤都支持PCI-E 3.0 x 4通道，理論帶寬可達(dá)32Gbps，性能十分出眾。

4、PCI-E接口

PCI-E接口的固態(tài)硬盤只能用于臺(tái)式機(jī)，它采用通過(guò)總線與CPU直連的方式，擁有優(yōu)于M.2接口固態(tài)硬盤的性能，但是價(jià)格比較高，適用性也比較低。

除此之外，固態(tài)硬盤還有SATA-express、SAS、U.2等接口類型。

（二）根據(jù)存儲(chǔ)介質(zhì)分

固態(tài)硬盤的存儲(chǔ)介質(zhì)分為兩種，一種是采用閃存（FLASH芯片）作為存儲(chǔ)介質(zhì)，另外一種是采用DRAM作為存儲(chǔ)介質(zhì)。最新還有英特爾的XPoint顆粒技術(shù)。

1、基于閃存的固態(tài)硬盤

基于閃存的固態(tài)硬盤（IDEFLASH DISK、Serial ATA Flash Disk）：采用FLASH芯片作為存儲(chǔ)介質(zhì)，這也是通常所說(shuō)的SSD。它的外觀可以被制作成多種模樣，例如：筆記本硬盤、微硬盤、存儲(chǔ)卡、U盤等樣式。這種SSD固態(tài)硬盤最大的優(yōu)點(diǎn)就是可以移動(dòng)，而且數(shù)據(jù)保護(hù)不受電源控制，能適應(yīng)于各種環(huán)境，適合于個(gè)人用戶使用，壽命較長(zhǎng)，可靠性很高，高品質(zhì)的家用固態(tài)硬盤可輕松達(dá)到普通家用機(jī)械硬盤十分之一的故障率。

2、基于DRAM類

基于DRAM的固態(tài)硬盤：采用DRAM作為存儲(chǔ)介質(zhì)，應(yīng)用范圍較窄。它仿效傳統(tǒng)硬盤的設(shè)計(jì)，可被絕大部分操作系統(tǒng)的文件系統(tǒng)工具進(jìn)行卷設(shè)置和管理，并提供工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的PCI和FC接口用于連接主機(jī)或者服務(wù)器。應(yīng)用方式可分為SSD硬盤和SSD硬盤陣列兩種。它是一種高性能的存儲(chǔ)器，理論上可以無(wú)限寫入，美中不足的是需要獨(dú)立電源來(lái)保護(hù)數(shù)據(jù)安全。DRAM固態(tài)硬盤屬于比較非主流的設(shè)備。

3、基于3D XPoint類

基于3D XPoint的固態(tài)硬盤：原理上接近DRAM，但是屬于非易失存儲(chǔ)。讀取延時(shí)極低，可輕松達(dá)到現(xiàn)有固態(tài)硬盤的百分之一，并且有接近無(wú)限的存儲(chǔ)壽命。缺點(diǎn)是密度相對(duì)NAND較低，成本極高，多用于發(fā)燒級(jí)臺(tái)式機(jī)和數(shù)據(jù)中心。

二、固態(tài)硬盤的內(nèi)部結(jié)構(gòu)

簡(jiǎn)單一句概括：固態(tài)硬盤=PCB板 主控芯片 緩存顆粒 閃存芯片。

固態(tài)硬盤的內(nèi)部構(gòu)造十分簡(jiǎn)單，固態(tài)硬盤內(nèi)主體其實(shí)就是一塊PCB板，而這塊PCB板上最基本的配件就是控制芯片，緩存芯片（部分低端硬盤無(wú)緩存芯片）和用于存儲(chǔ)數(shù)據(jù)的閃存芯片。

1、PCB板

主要負(fù)責(zé)板上各部件、外部的電腦各硬件進(jìn)行數(shù)據(jù)交互。

2、主控芯片

市面上比較常見的固態(tài)硬盤有LSISandForce、Indilinx、JMicron、Marvell、Phison、Sandisk、Goldendisk、Samsung以及Intel等多種主控芯片。主控芯片是固態(tài)硬盤的大腦，其作用一是合理調(diào)配數(shù)據(jù)在各個(gè)閃存芯片上的負(fù)荷，二則是承擔(dān)了整個(gè)數(shù)據(jù)中轉(zhuǎn)，連接閃存芯片和外部SATA接口。不同的主控之間能力相差非常大，在數(shù)據(jù)處理能力、算法，對(duì)閃存芯片的讀取寫入控制上會(huì)有非常大的不同，直接會(huì)導(dǎo)致固態(tài)硬盤產(chǎn)品在性能上差距高達(dá)數(shù)倍。

3、緩存顆粒

主控芯片旁邊是緩存顆粒，固態(tài)硬盤和傳統(tǒng)硬盤一樣需要高速的緩存芯片輔助主控芯片進(jìn)行數(shù)據(jù)處理。緩存顆粒容量比同一塊PCB板上的閃存顆粒小很多，但讀寫速度會(huì)快很多，電腦進(jìn)行硬盤讀寫，一般會(huì)優(yōu)先使用緩存顆粒。不過(guò)有一些廉價(jià)固態(tài)硬盤方案為了節(jié)省成本，省去了這塊緩存芯片，這樣對(duì)于使用時(shí)的性能會(huì)有一定的影響，尤其是小文件的讀寫性能和使用壽命上。

4、閃存芯片

除了主控芯片和緩存芯片外，PCB板上其余大部分位置都是NAND Flash閃存芯片。

NAND Flash閃存芯片又分為SLC（Single-Level Cell，單層單元）、MLC（Multi-Level Cell，雙層單元）、TLC（Trinary-Level Cell，三層單元）、QLC（Quad-Level Cell，四層單元）這四種規(guī)格。

另還有一種eMLC（Enterprise Multi-Level Cell，企業(yè)多層單元）是MLC NAND閃存的一個(gè)“增強(qiáng)型”的版本，它在一定程度上彌補(bǔ)了SLC和MLC之間的性能和耐久差距。