一、光刻機哪個國家能造

光刻機作為芯片產(chǎn)業(yè)制造中不可缺少的設備，也是工時和成本占比最高的設備，更是全球頂尖技術和人類智慧的結晶。那么目前有哪些國家可以制造出光刻機呢？

目前在制造光刻機領域中，荷蘭已經(jīng)達到了領先全球的水平，荷蘭的ASML公司占據(jù)了全球市場份額的80%。

除了荷蘭以外，日本和中國也可以制造出光刻機。日本代表的企業(yè)是佳能和尼康，中國的代表企業(yè)是上海微電子。雖然我國目前只能制造出90納米的光刻機，但是我國已經(jīng)加大了科研投入和人才培養(yǎng)，相信在不久的將來，就能制造出屬于自己的光刻機。

二、光刻機的難度在哪里

1、光源問題

光刻機以光為媒介，刻畫微納于方寸之間，實現(xiàn)各種微米甚至納米級別的圖形加工。目前，世界上最先進的光刻機已經(jīng)能夠加工13納米線條。而我們?nèi)祟惖念^發(fā)絲直徑大約是50~70微米，也就是說，光刻可以刻畫出只有頭發(fā)絲直徑1/5000的線條。

前面提到的荷蘭ASML公司的極紫外光刻機（EUV）是現(xiàn)在全球最頂尖的光刻機設備，相較于DUV，它把193nm的短波紫外線替換成了13.5nm的極紫外線，能夠把光刻技術擴展到32nm以下的特征尺寸。

EUV光刻機的光源來自于美國的Cymer，這個13.5nm的極紫外線其實是從193nm的短波紫外線多次反射之后得到的。

簡單來說，就是用功率為250的二氧化碳激光去不斷轟擊滴落下來的金屬錫滴液，在進行連續(xù)轟擊之后，就能激發(fā)出EUV等離子體，從而獲得波長更短的光。在這個過程中，每秒大約要攻擊5萬個滴液，而一個金屬錫滴液，其實只有20微米的大小。

這是個什么概念？就是相當于從地球上發(fā)射出了一束手電光。足以可見其精密程度。光源的問題，就是光刻機制造的難點問題之一。

2、反射鏡

光刻機的第二個難點，是用來調(diào)整光路和聚焦的反射鏡。

普通光刻機的物鏡是透鏡，高端光刻機的物鏡是反射鏡，反射鏡還得利用Bragg反射的原理添加涂層。

反射鏡的作用是把模板上的電路圖等比例縮小，在硅片上以電路圖的形式呈現(xiàn)出來，這是制造芯片的關鍵元件。

ASML公司EUV的光學元件都來自于以做光學器件出名德國的蔡司，當然其中也包括光刻機的反射鏡。

EUV多層膜反射鏡作為光學系統(tǒng)的重要元件，成為了EUV光源的一項關鍵技術，需實現(xiàn)EUV波段的高反射率。

近年來，科研人員們通過研究發(fā)現(xiàn)，采用Mo/Si多層膜制備出的反射鏡對中心波長為13.5nm、光譜帶寬，在2%以內(nèi)EUV光的反射率可達70%。通過將Mo原子和si原子交替排列，可使13.5nm的EUV光在其中發(fā)生干涉，從而得到較高的反射效率。

一句話來感受一下EUV反射鏡精度到底有多高？假設差不多半米直徑的鏡面是德國國土面積那么大，那么其局部的凹凸不能超過1mm。

光刻機上面反射鏡的制造，也是光刻機技術的一個難點。

3、工作臺

光刻機的工作臺控制了芯片在制造生產(chǎn)中的紋路刻蝕，工作臺的移動精度越高，所加工的芯片精度就越高。這對于國家的硬件能力和軟件能力都是考驗，即使是科技實力十分強大的美國也無法做到壟斷光刻機移動工作臺。

ASML公司的EUV光刻機工作臺采用的是一種高精度的激光干涉儀，以此進行微動臺的位移測量，構建出一個閉環(huán)的控制系統(tǒng)，進而實現(xiàn)納米級的超精密同步運動。

光刻機分辨率的日益提高對光刻機工作臺提出了更高的要求，在工作臺運行過程中，需要花費更多的時間對準以保證光刻機的工作精度。

也就是說，怎樣在保證不浪費太多時間的同時確保工件的精度？這是個問題。

在芯片制造過程中，并不是一次曝光就可以完成的，在制造過程中要經(jīng)歷多次曝光，這也就意味著，在芯片制作過程中要進行多次對準操作（每一次曝光都要更換不同的掩膜，掩膜與硅晶圓之間每次都要對準操作）。芯片的每個元件之間都只有幾納米的間隔，在這種情況下，掩膜與硅晶圓之間的對準誤差都必須控制在幾納米范圍內(nèi)。

一次對準可能相對來說比較容易，但芯片的制造需要多次曝光多次對準，在曝光完一個區(qū)域之后，放置硅晶圓的曝光臺就必須快速進行移動，接著曝光下一個需要曝光的區(qū)域，想要在多次快速移動中實現(xiàn)納米級別的對準，這個難度相當大。就相當于端著一碗湯做蛙跳，還得保證跳了幾十次之后一滴湯都沒灑出來。

工作臺技術不論是從精度還是時間效率上來說，均是光刻機技術上的一個難點。

4、耗電問題

光刻機要在工作過程中穩(wěn)定地輸出高功率的光線，以支持其在晶圓上的持續(xù)刻蝕。為了實現(xiàn)芯片的工業(yè)化量產(chǎn)，光刻機在耗電能力上也有極致的追求。

最關鍵的還是，EUV光刻機還非常費電，它需要消耗電量把整個工作環(huán)境都抽成真空以避免灰塵，同時也可以通過更高的功率來彌補自身能源轉(zhuǎn)換效率低下的問題，一般設備運行之后每小時就會損耗至少150度的電力。

這種極度耗電的問題，也是光刻機制造中的一個難點。

除此之外，次級電子對光刻膠的曝光、光化學反應釋放氣體，EUV對光罩的侵蝕等種種難題都要一一解決。這種情況就導致很長一段時間內(nèi)EUV的產(chǎn)量極低，甚至日均產(chǎn)量只有1500片。

當然，除了上面提到的幾點之外，光刻機的研發(fā)還面臨著很多難點，光刻機對工作環(huán)境的要求極高，它必須要在超潔凈的環(huán)境下才能夠運行，一點點小灰塵落在光罩上就會帶來嚴重的良品率問題，并對材料技術、流程控制等都有更高的要求。最致命的一點，就是光刻機的研發(fā)成本極高。

結語： 光刻機制造在光源、物鏡、工作臺、研發(fā)投入、工作環(huán)境等領域都面臨著不小的難點，也正因如此，光刻機技術久久都未取得明顯突破，我國在芯片制造上依舊面臨被卡脖子的困境。但目前我國在光刻機技術上已經(jīng)取得了一些小小的突破，國產(chǎn)光刻機未來可期！期待中國光刻機打破壟斷，走向世界的一刻。