一、二極管激光器和半導體激光器的區(qū)別

二極管激光器和半導體激光器在發(fā)光材料、光譜范圍、使用范圍、工作原理、輻射光譜的差異、電流的差異和應用方面有所不同。以下是詳細介紹：

1、發(fā)光材料不同。二極管激光器的主要發(fā)光材料是氮化鎵，而半導體激光器的發(fā)光材料主要是氮化鎵。

2、光譜范圍不同。二極管激光器的光波長主要在800至1000納米范圍內，屬于近紅外波段；半導體激光器的光譜范圍為650至1100納米。

3、使用范圍不同。二極管激光器通常用于淺組織照射，如消炎和減輕疼痛；半導體激光器更適用于牙周病、牙髓炎等問題的治療。

4、工作原理和輻射光譜不同。半導體激光器是受激輻射的結果，采用電能激勵激光，而二極管激光器是自發(fā)的輻射產生光。半導體激光器發(fā)出的光具有高單色性，而二極管激光器發(fā)出的光則有寬帶譜性。

5、電流不同。半導體激光器發(fā)射光需要一個高電流的激勵，而二極管激光器則只需要一個低電壓的激勵。

6、應用不同。半導體激光器具有高功率、高空間一致性和窄譜性的特點，廣泛應用于工業(yè)、生物醫(yī)學等多個領域；二極管激光器因為具有低功耗、長壽命、體積小的特點，在照明、顯示以及室內嵌入式等領域有廣泛的應用。

二、二極管激光器的主要技術參數介紹

1、波長：即激光管工作波長，可作光電開關用的激光管波長有635nm、650nm、670nm、690nm、780nm、810nm、860nm、980nm等。

2、閾值電流：即激光管開始產生激光振蕩的電流，對一般小功率激光管而言，其值約在數十毫安，具有應變多量子阱結構的激光管閾值電流可低至10mA以下。

3、工作電流：即激光管達到額定輸出功率時的驅動電流，此值對于設計調試激光驅動電路較重要。

4、工作電壓：是發(fā)出規(guī)定的光輸出時需要的正向電壓。

5、光輸出功率：最大允許的瞬時光學功率輸出。這適用于連續(xù)或脈沖操作模式。

6、暗電流：光電二極管反向偏置時的泄漏電流。暗電流既取決于溫度又取決于電壓，理想的二極管/光電二極管在相反的方向上沒有電流。?