半導體激光器結構中的勢壘是什么 半導體激光器產(chǎn)生激光的條件介紹
半導體激光(Semiconductor laser)在1962年被成功激發(fā),在1970年實現(xiàn)室溫下連續(xù)輸出。后來經(jīng)過改良,開發(fā)出雙異質接合型激光及條紋型構造的激光二極管(Laser diode)等,廣泛使用于光纖通信、光盤、激光打印機、激光掃描器、激光指示器(激光筆),是目前生產(chǎn)量最大的激光器。接下來本文將帶來半導體激光器結構中的勢壘是什么以及半導體激光器產(chǎn)生激光的條件介紹,一起來看看吧!